集成电路残留试验

4.金属元素残留：铝、铜、铁、镍、铬、锡、铅、金。

5.蚀刻与清洗液残留：氢氟酸、磷酸、过氧化氢、氨水、有机碱。

6.焊料与助焊剂残留：松香、有机酸、卤素化合物。

7.氧化层与介质层杂质：可移动离子电荷、固定氧化物电荷。

8.晶圆背面污染：研磨颗粒、背金污染、胶膜残留。

9.封装内部气氛分析：水汽含量、氧气含量、有机挥发物。

10.硅片表面原生氧化物与碳污染：自然氧化层厚度、有机碳沾污。

11.金属间化合物残留分析：焊接界面金属间化合物成分与形貌。

12.化学机械抛光后清洗效果测试：抛光液颗粒残留、表面金属污染。

13.键合区污染检测：引线键合区氧化、有机污染、颗粒物。

14.钝化层完整性及污染物检测：针孔、裂纹处的污染物渗透分析。

15.去胶与灰化后残留物：聚合物残留、灰化不彻底产物。

检测范围

硅抛光片、外延片、光刻胶涂覆晶圆、蚀刻后晶圆、离子注入后晶圆、化学机械抛光后晶圆、单片芯片、晶圆级封装器件、球栅阵列封装器件、方形扁平无引脚封装器件、系统级封装模块、引线框架、焊球、焊膏、键合丝、塑封料、陶瓷封装外壳、导热界面材料、封装基板、清洗用化学品

检测设备

1.离子色谱仪：用于精确分离和定量检测晶圆表面萃取液中的阴离子和阳离子残留；具备高灵敏度和低检测限。

2.气相色谱质谱联用仪：用于定性和定量分析挥发性与半挥发性有机污染物残留；通过质谱库进行化合物精确识别。

3.电感耦合等离子体质谱仪：用于超痕量级金属元素残留的定性与定量分析；具备多元素同时检测能力与极低的背景干扰。

4.全反射X射线荧光光谱仪：用于晶圆表面膜层中痕量金属污染的非破坏性、快速筛查与定量分析。

5.激光扫描共聚焦显微镜：用于观察和分析表面颗粒污染物的尺寸、分布与三维形貌；可进行自动颗粒计数。

6.热脱附气相色谱质谱联用系统：用于封装内部释放的气体及芯片表面吸附有机物的定性与定量分析。

7.傅里叶变换红外光谱仪：用于识别表面有机官能团及特定化学键，分析有机薄膜残留与污染物类别。

8.原子力显微镜：用于在纳米尺度上表征表面粗糙度、微观形貌及局部污染物分布。

9.扫描电子显微镜及能谱仪：用于高分辨率观察污染物微观形貌，并对其微区成分进行定性和半定量分析。

10.兆声波清洗与萃取系统：用于标准化的晶圆表面污染物萃取过程，确保残留物被高效、均匀地溶解至分析液中。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.